GIDL(gate-induced drain leakage) 是指来自栅诱导漏极泄漏电流，对MOSFET的可靠性影响较大。
MOSFET 中引发静态功耗的泄漏电流主要有:源到漏的亚阈泄漏电流，栅泄漏电流，发生在栅漏交叠来自区的栅致漏极泄漏 G360百科IDL 电流，如图下图所示。在这些泄漏电流中，在电路中器件处于关态或者处于只等待状态时，GIDL 电流在泄漏电流中占主导地位。
GIDL 隧夜给啊突易粒武衣打川念穿电流
当栅漏交叠区处栅漏电压 VDG很大时，交叠区界面附近硅中电子在价带和导带之间发生带带隧穿形成电流，我们把这种限置信电流称之为 GIDL 隧穿电流。随着栅氧化层越来越薄，GIDL 隧穿电流急剧增加。
GIDL 产生电流
漏 pn 结由于反偏，产生率大于复合率，在栅控制下，硅和二氧化硅界面处陷阱充当产生中心而引故调背个军发的一种栅诱导的漏极泄漏电流。
超深亚微米CMOS器件GIDL电流及其可靠性研究，陈海峰 ;
关注微信