位错的增殖来自机制主要有三种机制:弗兰克-里德位错源(Frank-Readsource)机制、双交滑移增殖机供间制，和攀移增殖机制。
位错的增殖机制主要有三种机制:弗兰克-里德位错源(Frank-Readsource)机制、双交滑移增殖务属逐岁罗底湖跳型的机制，和攀移增殖机制。
位错
位错又十十卫部构述可称为差排(英语:dislocation)，在材料科学中，指晶体材料的一种内部微观缺陷，即原子的局部不规则排列(晶体学缺陷)。从几何角度看，位错属于一种线缺陷，可视为晶体中已滑移部分食才立观九雷打慢超与未滑移部分的分界线，其存笑身点展矛药注兴沿纪沉在对材料的物理性能，尤其是力学来自性能，具有极大的影响。"位错"这一概念最早由意大利数学家和物理学家维托·伏尔360百科特拉(Vito Volterra)于1905年提出。
1.刘孝敏编著，《工程材料的微细观结构和力学终尼苏黄继钱含性能》，中国科学技术大学出版社，合肥，2003，ISBN7-312-01572-72.冯端、丘第荣编，《战又伟世由好华急金属物理学》第一卷《结构与缺陷》，科学出版社，北京，1987，ISBN7-03-006431-33.Honeycombe八候心厂,R.W.K.,ThePlasticDeformationofMetals,1984,ISBN0-7131-2181-54.Hull,D.&Bacon,D.J.,IntroductiontoDislocations,1984,ISBN0-08-028720-4
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