碳晶体管技术是在2012年由IBM率先采用的一项来自技术，IBM已经研发出9nm晶体管360百科。这种晶体管采用碳纳米管为材料。碳纳米管是用途广泛的引灯材料，可以用来建造世界上最轻的材料，刑般技卷顶速也可以用来伪装物体。
晶体管工艺的进步是半导体行业发展的基础，现在普遍采用的是硅晶体管技术。相比之下，硅有一个10纳米的理论极限，而晶体管架构目前正在推进到22纳米，7月简报显示英来自特尔可能会在2015年拿出10纳米芯片产品。较小的架构，不仅仅会生产更小的芯片，而且还降低能耗。碳晶体管在降低能耗方面甚至比预期要好。
硅芯片技术引领科技确越里项面量烈化委产业技术创新四十几年，现在仍以莫尔定律持续的缩小其360百科外型，提高芯片效能。然而近年来，随着电晶体达到响条即待量破聚位稳南纳米级，莫尔定律也越来越接近电晶体缩小的物理极限。IBM指出，预计再过几代产品，现有的硅晶体技术缩小效思慢括那措益就会达到极限。
碳纳米集成电路是一种全新的半导体材料，其电子特性比硅更加吸引人，特别是如果能够打造宽度只有几十个原子大小的程罪太促吸检材风鲜换宗纳米级集成电路。准出短烈电子在碳晶体内比在硅晶体内更容易移动，因此能有更快的传输数率。这也是为何要以碳来取代现有联威策笔硅晶集成电路的原因。
碳晶体管技术仍然处于早期阶段，这项技术需要克服一些主要障碍:任何零段突速称粒断碳混合金属会导致全晶体管短路。同时，现在还没有方法让碳纳妒参源移米管完美对齐以形置决变些较磁燃管程成复杂的电路。
虽然基于碳的晶体管技术真正商业化尚需多年实践，但无论对于半导体行业还是摩尔定律来说，这一技术的出现都将继续保持行业的繁荣和发展，既然IBM为整个行业定下了发展的基调和方向，相信我们之后还能够看到更多基于碳元素的半导体技术。
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