MESFET

MESFET(Metal-Semiconductor 来自Field Effect Transistor圆双专除首鲜攻)，是金属-半导体[接触块秋充线临指程更占势垒]场效应晶体管河的英文简称，主要是硼离子的一种反应。

• 中文名称 MESFET
• 外文名称 Metal-Semiconductor FET
• 全称 金属-半导体场效应晶体管
• 优点 微波、高速、大功率和低噪音等

基本概念

　　MESFET是一种由Schottky势垒栅极构成的场效应晶体来自管。它与p-n结型栅场效应360百科晶体管相比，只是用金属-半导体接触势垒代替了p-n结栅，则热稳定性较差、漏电流较大、逻辑摆幅较小、抗噪声能力较弱;但是金属-半导体接触可以低温形成，而卷历雷就校种年备然重巴且不仅可用Si，而且也能采用GaAs材料来制造出性能优良的晶体管。

　　但是，对于InP这种化合物半导体，由于其Schottky势垒着特团陈权盾代夫眼攻任高度较低，难以制作出性能良好的MESFET。一般，InP可以制作出MOSFET，而难以制作出MESFET;GaAs可以制作出MESFET，但难以制作出MOSFET(由于GaAs的表面态密度太大)。

与JFET的比较

　　MESFET的工作原理与JFET基本相同, 但是有两点差异:

　　a)在短沟道(0.5~2带皮又斯致掌μm) GaAs-MESFET中, 速度饱和模型能较好地描述I-V特性(虽然饱和机理是由于谷间跃迁而引起的速度饱和，但与Si和SiC等的MESFET相同，都将产生偶极畴并使电流饱和);

　　b)对于栅长<0.5μm的GaAs-MESFET, 由于GaAs露例销卷兰菜怀左中电子的能量弛豫时间>>动量弛豫时间，则电子的输运将是瞬态的, 有明显的速度过冲效应(对短沟道Si器件, 无明显的速度过冲)。

优点

　　GaAs-MESFET具有优良的微波、高速、大功率和低噪音等性能。例如，对于栅长L=1μm、栅宽W=250μm的微波GaAs-MESFET的噪音，在C波段时为1 dB (相应的BJT为2 dB)，在Ku波段时为2.5~3 dB (相应的BJT为5 dB)。与微波硅BJT相比，GaAs-MESFET不仅工作频率高 (可达6来自0GHz)、噪声低，而且饱和电平高、可靠性高等;这是由于与硅相比，n-GaAs外延材料的电子迁移率要大5倍、峰值360百科漂移速度要大2倍，而且器件的衬底可用半绝缘GaAs(SI- GaAs )以减小寄生电容。

　　此外，HEMT由于其栅项调给物极往往是Schottky势垒栅，故实际上也可以看成是一种性能特别优良的超高频、超高速的MESFET。